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　　祝宁华分析，当前我国在光电子高端芯片研制上已具备基本条件。据了解，为实现自主创新发展，我国于2008年实施了国家科技重大专项极大规模集成电路制造装备及成套工艺，经过9年攻关，成功打造了我国集成电路制造业创新体系。专项实施前，国内集成电路制造最先进的量产工艺为130纳米，研发工艺为90纳米。9年来，我国主流工艺水平提升了5代，55、40、28纳米三代成套工艺研发成功并实现量产，22、14纳米先导技术研发取得突破，已研制成功14纳米刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品，性能达到国际先进水平。